2022 yılında ortaya çıkan ve detaylarından yeni haberdar olunan bu patent, deneyimli yarı iletken uzmanı Dr. Frederick Chen tarafından keşfedildi. Patent, Huawei ve ortakları SMIC’in 21 nm’lik metal aralığında kullanılabilen gelişmiş bir çoklu desenleme yöntemi geliştirdiğine işaret ediyor. Bu inovasyon, TSMC ve Samsung’un EUV teknolojileriyle ulaşabildiği yaklaşık 2 nm seviyelerine oldukça yakın sonuçlar vaat ediyor.
Geliştirilen yöntem, geleneksel çoklu desenleme tekniklerine kıyasla dünyada ilk kez gerçekleştirilen ve gerekli pozlama sayısını yalnızca dörtte bir oranında azaltan “Kendinden Hizalamalı Dört Katmanlı Desenleme” (SAQP) adını taşıyor. Amacı, maliyetleri düşürmek ve üretim sürecini daha pratik hale getirmek olan bu yaklaşım, Huawei’nin mevcut DUV altyapısını kullanarak yeni seviyelere ulaşmayı hedefliyor. Bu sayede SMIC’in N+3 yüksek hassasiyetli sürecinden doğrudan 2 nm seviyelerine geçiş planlanıyor. Özellikle EUV teknolojisi kullanmadan, bu teknolojik adımın laboratuvar ortamında başarıyla test edilmesi dikkat çekiyor.
Teknolojinin Sektörel Yansımaları ve Gelecek Perspektifi
Bununla birlikte, sektör uzmanları bu gelişmeyi dikkatli analiz ediyor. Çünkü, laboratuvar ortamında teknik olarak mümkün olsa da, ticarileştirilmesi ve geniş çapta uygulanabilirliği konusunda bazı endişeler bulunuyor. Özellikle, agresif bir DUV tabanlı desenleme yönteminin verim kaybı, hata oranlarının artması ve yüksek maliyetler gibi olumsuz yönleri biliniyor. Bu yüzden, sektör büyük oyuncuları yakın zamanda 3 nm ve daha altındaki süreçler için daha güvenilir ve maliyet etkin çözümlere yönelmeye devam ediyor.
Huawei’in bu patent ve teknolojik atılımı, eğer seri üretime geçilirse Çin’in bağımsız teknolojik gelişim yolunda önemli bir dönüm noktası olabilir. Ayrıca, bu gelişmenin sektörde yaratacağı etki ve rakipleri üzerinde oluşturacağı baskı uzun vadede dikkat çekici olacak gibi görünüyor.
